2007年9月10日発表

　横河電機株式会社（本社：東京都武蔵野市　代表取締役社長：海堀周造）は、DRAM(※1)量産用メモリテスタ「MT6111　メモリテストシステム」を本日から発売開始しますのでお知らせします。

　今回発売する「MT6111」は、当社従来製品「MT6060 メモリテストシステム」の後継機で、量産時のテストタイムを20％削減してテスト効率を向上しました。半導体市場のボリュームゾーンであるDRAMを主要ターゲットにし、高いコストパフォーマンスを実現した量産用のメモリテスタです。DRAM以外にも、生産が急増しているNAND型／NOR型フラッシュメモリ(※2)にも対応します。

開発の背景
　半導体市場は過去30年にわたって成長を続け、今後も成長が見込まれる巨大市場です。
　この市場の成長を担っている代表的な半導体デバイスとして、パソコンに大量に使用されて市場を牽引するDRAMがあげられます。DRAMはデジタル家電向けなどに用途を広げており、今後も半導体市場のボリュームゾーンを形成するとみられています。一方半導体メーカは、世界規模で展開する厳しい競争を勝ち抜くために、微細加工技術を追求して1枚のシリコンウエハーからとれるチップの数を増加させるなど、徹底したコスト削減に取り組んでおり、テストコストの低減も競争力を強化する上で不可欠の取り組みテーマとなっています。このため当社では、DRAMを効率よくかつ低コストで試験できるテスタを開発してきました。

製品の特長

1. 同時測定個数2倍

　同時測定個数を、当社従来製品の「MT6060」と比べて2倍の1024個（2ステーション仕様）とし、各ステーションの独立稼動で装置の稼働率をあげ、テスト工程における生産性向上に寄与します。

2. 低価格で大量生産品を効率測定

　DRAMを低コストで効率よくテストするため、最高動作周波数を140メガヘルツに抑えるなど量産用に機能を絞り込んだため、優れたコストパフォーマンスを実現します。

3. 省スペース化の実現

　テスタ本体のフロア占有面積を従来製品と比較して60％に縮小することで、検査工程の大幅な省スペース化を実現して、トータル運用コスト低減に貢献します。

[　主な仕様　]

[　主な市場　]

[　用 途　]

[　販売目標 ]

以上

※1　DRAM
　メモリデバイスの一種。ランダムアクセス（データ中の任意の部分を直接書き込みと読み出し）できるが記憶保持動作が必要。主にパソコンの主記憶装置として使われる。
※2　フラッシュメモリ
　メモリデバイスの一種。随時書き込みと読み出しができ、記憶保持動作が不要。 NAND型は集積度が高く、デジタルカメラなどのメモリーカードとして使われる。 NOR型は任意読み出しに優れ、携帯電話のデータ格納メモリなどとして使われる。

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